IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀主機可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測量測試，包括對半導(dǎo)體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設(shè)備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開關(guān)時間，開關(guān)損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測試。

IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀概述

• 測試電壓：zui大1200 VDC 200（短路電流可達1000A）
• 定時測量：zui低為1 ns
• 漏電流限制監(jiān)視器
• -  MOSFET開關(guān)時間測試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
  -  MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復(fù)時間測試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
  -  Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
  -  MOSFET柵電荷Qg測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
  -  IGBT感性開關(guān)時間測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
  -  IGBT短路耐量測試，Max ISC=1000A
  
  測試標準： 
  - MIL-STD-750 Series

ITC57300mos管功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀選項

• 額外的電源供應(yīng)器
• 額外的測試頭
• 大包裝適配器

ITC57300mos管功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀測試頭

• ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472開關(guān)時間
• ITC57220 - TRR /電源，MOSFET和二極管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473
• ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471
• ITC57240 - 電感式開關(guān)時間為IGBT，MIL-STD 750方法3477
• ITC57250 - （ISC）短路耐受時間，MIL-STD-750方法3479