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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Rhenium atoms perfectly incorporated into MoS? matrix.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Molybdenum atoms perfectly incorporated into ReS2 matrix.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Niobium atoms are perfectly incorporated into ReS? matrix.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Our newest class of material: Sb2xAs2（1-x）S3 comes in perfect 1:1:3 stoichi...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Synthetic MoS2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-typ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：High purtiy WS2 crystals have been I2 （iodine） intercalated to achieve p-ty...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Natural MoS2 is an indirect gap semiconductor （1.2 eV） but becomes highly l...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Tungsten disulfide （2H-WS2） crystals are extremely rare in nature and are l...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Zirconium disulfide （ZrS?） is an indirect gap layered semiconductor in the ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Zirconium disulfide （ZrS?） is an indirect gap layered semiconductor in the ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：More than a decade of growth optimization in chemical vapor transport （CVT）...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：99% environmentally stable metallic NbS2 （niobium disulfide） crystals: NbS2...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Anisotropic transition metal trichalcogenide material TiS3 is available at ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：ZrSiS as a theoretically predicted and experimentally proven Dirac semimeta...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Gamma layered phase of In2S3 is a direct gap semiconductor with an optical ...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：NiPSe3 is a quasi-two-dimensional antiferromagnet in the bulk form while it...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：14 years of growth optimization in chemical vapor transport （CVT） as well a...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Natural MoS2 is an indirect gap semiconductor （1.2 eV） but becomes highly l...
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：Our TiS2 crystals are stabilized in 1T ohase （semimetallic phase）.
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詳細(xì)摘要： 簡(jiǎn)要描述：14 years of growth optimization in chemical vapor transport （CVT） as well a...
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