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中國臺灣 UBIQ 650V3A開關(guān)MOSFET QM03N65D數(shù)據(jù)手冊規(guī)格書

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產(chǎn)品型號QM03N65D

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聯(lián)系方式：楊澤銘查看聯(lián)系方式

更新時間：2022-03-24 10:04:40瀏覽次數(shù)：202次

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深圳市泰德蘭電子有限公司

經(jīng)營模式：代理商

商鋪產(chǎn)品：523條

所在地區(qū)：廣東深圳市

聯(lián)系人：楊澤銘（銷售經(jīng)理）

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產(chǎn)品簡介

TheQM03N65DisthehighestperformanceN-chMOSFETswithspecializedhighvoltagetechnology,whichprovideexcellentRDSONandgatechargeformostoftheSPS,Charger,Adapterandlightingapplications

詳細(xì)介紹

The QM03N65D is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltage technology, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications .

650V開關(guān)MOSFET/QM03N65D替換AOD2N60A代替QM03N65D替代AOD3N50/60_UBIQ-semi_

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The QM03N65D meet the RoHS and Green Product requirement , 99% EAS guaranteed with full function reliability approved.

QM03N65D替換AOD2N60A代替QM03N65D替代AOD3N50/60

Feature

Super Low Gate Charge.

Excellent CdV/dt effect decline.

99% EAS Guaranteed

Green Device Available.

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Application

High efficient switched mode power supplies.

Electronic lamp ballast.

LCD TV/ Monitor.

Adapter.

具有合適的尺寸，同時為了保證測試結(jié)果的對比性和重復(fù)性，要對測試場地的均勻性進(jìn)行校準(zhǔn)，能維持相對于EUT來說具有足夠空間的均勻場域（例如，有一個1.5m*1.5m的均勻場），局部安裝一些吸收材料使室內(nèi)的反射減弱。當(dāng)布置發(fā)生變化時（如更換吸波材料、試驗(yàn)位置的移動或試驗(yàn)設(shè)備的改變），都要重新進(jìn)行校準(zhǔn)。