晶體振蕩器實際應用的環(huán)境需要慎重考慮。例如，高強度的振動或沖擊會給振蕩器帶來問題。除了可能產(chǎn)生物理損壞，振動或沖擊可在某些頻率下引起錯誤的動作。這些外部感應的擾動會產(chǎn)生頻率跳動、增加噪聲份量以及間歇性振蕩器失效。對于要求特殊EMI兼容的應用，EMI是另一個要優(yōu)先考慮的問題。除了采用合適的PC母板布局技術，重要的是選擇可提供輻射量小的時鐘振蕩器。一般來說，具有較慢上升/下降時間的振蕩器呈現(xiàn)較好的EMI特性。

　　恒溫晶體振蕩器簡稱恒溫晶振，英文簡稱為OCXO(Oven Controlled Crystal Oscillator)。詳解恒溫晶振的調(diào)試：

　　1)每一個單獨指標必須單獨測試，不能同時測試幾種指標，也不能同時測試幾只晶振。

　　2)測試時要嚴格按照標準的測試電路和測試環(huán)境進行測試。

　　3)在沒有相當?shù)臏y試設備和測試人員的情況下，不建議客戶自行測試晶振，更不能隨意調(diào)試晶振，測試設備的等級應至少比晶振指標高一個數(shù)量級。

　　4)對不同廠家的產(chǎn)品，尤其是來自不同國家的產(chǎn)品，有一些指標的測試方法不盡相同，應提前了解各廠家的異同點，統(tǒng)一意見，以減少不必要的麻煩。

　　5)對一些短期指標如頻率精度，開機特性等，應多做幾次重復的測試，以減少測試結果的偶然性。

　　一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器(注意是放大器不是反相器)的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地,這兩個電容串聯(lián)的容量值就應該等于負載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容,這個不能忽略。

　　晶振在電氣上可以等效成一個電容和一個電阻并聯(lián)再串聯(lián)一個電容的二端網(wǎng)絡，電工學上這個網(wǎng)絡有兩個諧振點，以頻率的高低分其中較低的頻率為串聯(lián)諧振，較高的頻率為并聯(lián)諧振。由于晶體自身的特性致使這兩個頻率的距離相當?shù)慕咏谶@個極窄的頻率范圍內(nèi)，晶振等效為一個電感，所以只要晶振的兩端并聯(lián)上合適的電容它就會組成并聯(lián)諧振電路。這個并聯(lián)諧振電路加到一個負反饋電路中就可以構成正弦波振蕩電路，由于晶振等效為電感的頻率范圍很窄，所以即使其他元件的參數(shù)變化很大，這個振蕩器的頻率也不會有很大的變化。晶振有一個重要的參數(shù)，那就是負載電容值，選擇與負載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標稱的諧振頻率。一般的晶振振蕩電路都是在一個反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個電容分別接到晶振的兩端，每個電容的另一端再接到地，這兩個電容串聯(lián)的容量值就應該等于負載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個不能忽略。一般的晶振的負載電容為15p或12.5p，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個22p的電容構成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。